快科技7月6日讯据最新行业报道，混合键合凉K海三星电子与SK海力士在推进下一代高带宽存储器（HBM）的力士混合键合（Hybrid Bonding）技术时，正面临严峻的急刹技术与商业化挑战。

业界分析师指出，用不也悬混合键合技术在下一代HBM中的混合键合凉K海全面普及可能比市场预期进一步推迟。目前，力士这两大存储巨头正在重新评估引入该技术的急刹时机，甚至可能决定在HBM5世代中暂不采用混合键合方案。用不也悬

厚度标准放宽削弱技术紧迫性

混合键合技术通过直接连接DRAM芯片间的混合键合凉K海铜线，摒弃了传统凸点（Bump），力士从而显著减小HBM堆叠厚度并优化散热性能。急刹然而，用不也悬这一核心优势正因JEDEC标准的混合键合凉K海调整而减弱。

目前，力士JEDEC正在讨论将HBM5的急刹厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。相比之下，HBM3E的标准厚度为720微米，而HBM4已放宽至775微米。随着厚度标准的松动，混合键合在“无凸点减薄”方面的紧迫性大幅降低。

散热方案多元化：替代技术崛起

除了厚度问题，散热难题也出现了更简便的替代解决方案，进一步延缓了混合键合的部署节奏：

• 三星方案：开发了HPB（Heat Pipe Board）热通道模块，通过在封装内部植入独立热柱，实现从堆叠内部高效导出热量。
• SK海力士方案：推出iHBM技术，将电绝缘且导热的冷却元件嵌入D2D PHY层，宣称可将热阻降低超过30%。

两家公司均计划从HBM5世代开始应用各自的散热优化方案。

市场需求与工艺演进：短期观望，长期必选

当前，客户与内存制造商对16层以上HBM的需求并不迫切。即使在HBM4E阶段，12层产品仍极有可能占据主流市场。这种对高堆叠密度需求的滞后，进一步延缓了混合键合技术的规模化进程。

不过，混合键合的研发并未停滞。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。业内判断，若未来HBM5E阶段的I/O数量进一步翻倍至4096个，现有的TC（热压合）工艺将因凸点横向扩散问题而难以支撑高密度连接。届时，混合键合将成为实现更高密度互连的唯一可行路径。

结论：短期内混合键合不会大规模部署，但在中长期I/O密度再次爆发时，它仍是行业发展的必然方向。