财联社6月29日讯（编辑 牛占林）随着全球内存短缺危机持续发酵，涉嫌士和诉讼美国当地消费者及小型企业已正式采取法律行动。操纵据披露，价格及供集体全球三大内存巨头——三星、应星SK海力士和美光，海力因涉嫌协同操纵内存价格并限制全球供应，美光美遭被提起集体诉讼。涉嫌士和诉讼

诉讼背景与指控核心

该集体诉讼于6月25日在美国加利福尼亚州联邦法院正式提起。操纵诉状指控指出，价格及供集体这三家公司几乎垄断了全球DRAM（动态随机存取存储器）市场的应星供应，却在价格大幅飙升期间人为限制传统DRAM产品的海力供给，从而加剧了当前的美光美遭内存短缺危机。

值得注意的涉嫌士和诉讼是，诉讼提起前夕，操纵苹果成为最新一家因存储芯片成本上涨而调整部分产品售价的价格及供集体科技公司，多家手机厂商也相继跟进提价，这一市场动态被视为引发此次诉讼的直接导火索。

详细诉讼内容

这起集体诉讼由14名个人消费者及3家小型企业（包括电脑零售商）共同发起，指控三星、SK海力士和美光违反了多项美国反垄断法律。

1. 协同控价与产能缩减

根据诉状，自2022年市场需求疲软以来，这三家公司开始协同控制DRAM的供应量和价格。在随后的四年中，DRAM价格累计上涨约700%。

诉状强调，三家公司采取了“同步削减产能”的策略，并将业务重心全面转向高带宽存储器（HBM）。与此同时，它们逐步退出DDR3和DDR4等传统存储产品市场，导致在价格持续上涨期间，传统DRAM的市场供应被进一步压缩。

2. HBM热潮背后的市场逻辑

HBM广泛应用于AI数据中心。由于AI企业愿意支付高昂溢价采购HBM，存储芯片制造商倾向于将资源倾斜至HBM生产，而非面向普通消费电子产品的传统DRAM。

• 美光战略调整：今年早些时候，美光宣布彻底关闭旗下消费级内存品牌Crucial业务，集中资源服务AI客户。
• 长期供应锁定：近期，美光签署了16份新的存储芯片供应协议，合同期限均延续至2030年，预示着当前的内存供应紧张局面可能长期持续。

3. 缺乏市场竞争机制

原告指出，在充分竞争的大宗商品市场中，当价格大幅上涨时，通常会有至少一家生产商扩大产量以抢占市场份额。然而，这一市场调节机制并未生效。

诉状写道：“三家公司中，没有任何一家利用其他竞争对手减产的机会扩大产能、争夺客户。相反，三家公司一起收缩供应。”

4. 极高的行业进入壁垒

诉状分析认为，由于DRAM行业存在极高的进入门槛，新竞争者无法迅速填补市场空缺：

• 巨额资本投入：建设一座DRAM晶圆厂的成本高达150亿至200亿美元，且建设周期长达数年。
• 技术壁垒：生产高良率DRAM芯片所需的关键制造工艺积累了数十年的商业秘密。
• 政策限制：美国出口管制限制了外国企业获取先进一代生产设备。
• 认证周期长：即使芯片生产成功，进入大型客户供应链前还需经历长达12至18个月的产品认证流程。

诉状称：“现实结果就是，当这三家公司限制供应时，没有任何外部竞争者能够迅速扩大产能，以更低价格与其竞争。”

诉讼请求与未来展望

原告请求法院发布禁令，以“消除被告违法、反竞争行为持续造成的影响”，并要求三家公司支付三倍赔偿，承担诉讼费用及律师费等。

目前，该诉讼规模尚属有限，但若法院认可原告主张并正式批准其为集体诉讼，案件影响范围可能进一步扩大。代表原告的反垄断律师事务所Bathaee Dunne正寻求将案件扩展为覆盖所有购买含DRAM产品的普通消费者和企业的集体诉讼。

历史前科：并非首次卷入类似案件

消费者方面指出，这并非三大巨头首次因涉嫌操纵DRAM市场而面临法律追责。

• 1998-2002年价格操纵案：美国司法部曾对此展开调查。最终，三星电子和SK海力士分别认罪，并支付了近3亿美元和1.85亿美元的罚款；美光因主动向监管部门举报该价格同盟并配合调查，免于处罚。
• 2016-2018年价格波动：在此期间DRAM价格再次大幅上涨，美国曾发起相关集体诉讼。

原告在诉状中总结道：“本案所指控的行为，是同一市场、同一批企业发生的第三轮类似周期。”

（财联社 牛占林）